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　　如何檢查雙向晶閘管的好壞：雙向晶閘管作電子開關使用,能控制交流負載(例如白熾燈)的通斷,根據白熾燈的亮滅情況,可判斷雙向晶閘管的好壞。
　　將220V交流電源的任意一端接T2,另一端經過220V、100W白熾燈接T1。觸發電路由開關S和門極限流電阻R組成。S選用耐壓220VAC的小型鈕子開關或拉線開關。R的阻值取100~330Ω,R值取得過大,會減小導通角。
　　下面個紹檢查步驟：
　　第一步,先將S斷開,此時雙向晶閘管關斷,燈泡應熄滅。若燈泡正常發光,則說明雙向晶閘管T1-T2極間短路,管子報廢；如果燈泡輕微發光,表明T1-T2漏電流太大,管子的性能很差。出現上述兩種情況,應停止試驗。
　　第二步：閉合S,因為門極上有觸發信號,所以只需經過幾微秒的時間,雙向晶閘管即導通通,白熾燈上有交流電流通過而正常發光。具體工作過程分析如下：在交流電的正半周,設Ua>Ub,則T2為正,T1為負,G相對于T2也為負,雙向晶閘管按照T2-T1的方向導通。在交流電的負半周,設Ua 　　綜上所述,僅當S閉合時燈泡才能正常發光,說明雙向晶閘管質量良好。如果閉合時燈泡仍不發光,證明門極已損壞。
　　注意事項：
　　1、本方法只能檢查耐壓在400V以下的雙向晶閘管。對于耐壓值為100V、200V的雙向晶閘管,需借助自耦調壓器把220V交流電壓降到器件耐壓值以下。
　　2、T1和T2的位置不得接反,否則不能觸發雙向晶閘管。
　　3、具體到Ua、Ub中的哪一端接火線(相線),哪端接零線,可任選。
　　4、利用雙向晶閘管作電子開關比機械開關更加優越。因為只需很低的控制功率,就能控制相當大的電流,它不存在觸點抖動問題,動作速度極快,在關斷時也不會出現電弧現象。實際應用時,圖5.9.14中的開關S可用固態繼電器、干簧繼電器、光電繼電器等代替。

　　雙向晶閘管與單向晶閘管一樣,也具有觸發控制特性。不過,它的觸發控制特性與單向晶閘管有很大的不同,這就是無論在陽極和陰極間接人何種極性的電壓,只要在它的控制極上加上一個觸發脈沖,也不管這個脈沖是什么極性的,都可以便雙向晶閘管導通。
　　由于雙向晶閘管在陽、陰極間接任何極性的工作電壓都可以實現觸發控制,因此雙向晶閘管的主電極也就沒有陽極、陰極之分,通常把這兩個主電極稱為T1電極和T2電極,將接在P型半導體材料上的主電極稱為T1電極,將接在N型半導體材料上的電極稱為T2電極。
　　由于雙向晶閘管的兩個主電極沒有正負之分,所以它的參數中也就沒有正向峰值電壓與反同峰值電壓之分,而只用一個最大峰值電壓,雙向晶閘管的其他參數則和單向晶閘管相同。
　　晶閘管的主要工作特性
　　為了能夠直觀地認識eupec晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來,通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管,若采用KP1型,應接在1.5V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說,給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。現在我們合上電源開關S,小燈泡不亮,說明晶閘管沒有導通；再按一下按鈕開關SB,給控制極輸入一個觸發電壓,小燈泡亮了,說明晶閘管導通了。用萬用表可以區分整流二極管的三個電極嗎?怎樣測試晶閘管的好壞呢?
　　普通晶閘管的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道,晶閘管G、K之間是一個PN結〔圖2(a)〕,相當于一個二極管,G為正極、K為負極,所以,按照測試二極管的方法,找出三個極中的兩個極,測它的正、反向電阻,電阻小時,萬用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個就是陽極A了。測試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關S,按一下按鈕開關SB,燈泡發光就是好的,不發光就是壞的
　　ABB晶閘管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構成可控整流電路。現在我畫一個最簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug,VS仍然不能導通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發脈沖Ug時,晶閘管被觸發導通。現在,畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚,晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間,就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。

　　雙向晶閘管的發展現狀在我國精管行業發展很快。國內分立器件廠商的主要產品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主,目前國際功率半導體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及,且主要為平面柵結構的VDMOS器件,IGBT還處于研發階段。寬禁帶半導體器件主要是以微波功率器件(SiCMESFET和GaNHEMT)為主,尚未有針對市場應用的寬禁帶半導體產品器件的產品研發。
　　從功率半導體的產品分類來說
　　一、普通二極管、三極管國內的自給率已經很高,但是在高檔的功率二極管,大部分還依賴進口,國內的產品性能還有不小的差距。
　　二、ABB晶閘管類器件產業成熟,種類齊全,普通晶閘管、快速晶閘管、超大功率晶閘管、光控晶閘管、雙向晶閘管、逆導晶閘管、高頻晶閘管都能生產。中國南車集團現在可以生產6英寸、4000A、8500V超大功率晶閘管,居世界領先水平,已經在我國的機車上大量使用,為我國的鐵路現代化建設做出了貢獻。
　　三、在功率管領域,逐步有國內的企業技術水平上升到MOS工藝,MOSFET的產業有一定規模,進入21世紀后,這類器件的產品已批量進入市場,幾十安培、200V的器件在民用產品上獲得了廣泛應用,進口替代已然開始。
　　四、IGBT、FRD已經有所突破,FRD初見規模。IGBT從封裝起步向芯片設計制造發展,從PT結構向NPT發展,溝槽工藝正在開發中。IGBT產品進入中試階段,
　　五、在電源管理領域,2008年前十名都見不到國內的企業。
　　從功率半導體產業鏈來說
　　一、設計：國內IGBT還處于研制階段,還沒有商品化的IGBT投入市場,我國IGBT芯片的產業化道路比較漫長。目前國內的民營和海歸人士設立的公司已經研發出了低端的IGBT產品,如常州宏微、嘉興斯達。南車集團就不說了。
　　二、制造：IGBT對于技術要求較高,國內企業還沒有從事IGBT生產。考慮到IP保護以及技術因素的限制,外資IDM廠商也沒有在國內進行IGBT晶圓制造和封裝的代工。目前華虹NEC和成芯的8寸線、華潤上華和深圳方正的6寸線均可提供功率器件的代工服務。
　　三、封裝：我國只有少數企業從事中小功率IGBT的封裝,而且尚未形成規模化生產,在IGBT芯片的產業化以及大功率IGBT封裝領域的技術更是一片空白。
　　從功率半導體工藝發展來說
　　一、BCD工藝已從無到有,從低壓向高壓發展,從硅基向SOI基發展。
　　二、從封裝起步向芯片設計制造發展,從PT結構向NPT發展,溝槽工藝正在開發中。