電子元器件在質量方面國際上有歐盟的CE認證,美國的UL認證,德國的VDE和TUV認證以及中國的CQC認證等國內外認證,來保證元器件的合格。

1906年,美國發明家德福雷斯特(De Forest Lee)發明了真空三極管(電子管)。第一代電子產品以電子管為核心。四十年代末世界上誕生了第一只半導體三極管,它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點,很快地被各國應用起來,在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期,世界上出現了第一塊集成電路,它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅芯片上,使電子產品向更小型化發展。集成電路從小規模集成電路迅速發展到大規模集成電路和超大規模集成電路,從而使電子產品向著高效能低消耗、高精度、高穩定、智能化的方向發展。由于,電子計算機發展經歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術發展的四個階段的特性,所以下面就從電子計算機發展的四個時代來說明電子技術發展的四個階段的特點。在20世紀出現并得到飛速發展的電子元器件工業使整個世界和人們的工作、生活習慣發生了翻天覆地的變化。電子元器件的發展歷史實際上就是電子工業的發展歷史。

1906年美國人德福雷斯特發明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。此后,人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年,點接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發展史上翻開了新的一頁。但是,這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發成功的同時,結型晶體管論就已經提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后,結型晶體管材真正得以出現。1950年,具有使用價值的最早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現和發展,各種性能優良的電子器件相繼出現,電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規模、超大規模集成電路時代。逐步形成作為高技術產業代表的半導體工業。由于社會發展的需要,電子裝置變的越來越復雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質量輕、小型化、成本低等特點。自20世紀50年代提出集成電路的設想后,由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步,在20世紀60年代研制成功了第一代集成電路。在半導體發展史上。集成電路的出現具有劃時代的意義：它的誕生和發展推動了銅芯技術和計算機的進步,使科學研究的各個領域以及工業社會的結構發生了歷史性變革。憑借優越的科學技術所發明的集成電路使研究者有了更先進的工具,進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現。對電子器件來說,體積越小,集成度越高;響應時間越短,計算處理的速度就越快;傳送頻率就越高,傳送的信息量就越大。半導體工業和半導體技術被稱為現代工業的基礎,同時也已經發展稱為一個相對獨立的高科技產業。

電子器件

指在工廠生產加工時不改變分子成分的成品。如電阻器、電容器、電感器。因為它本身不產生電子,它對電壓、電流無控制和變換作用,所以又稱無源器件。

電子元件

指在工廠生產加工時改變了分子結構的成品。例如晶體管、電子管、集成電路。因為它本身能產生電子,對電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關、整流、檢波、振蕩和調制等）,所以又稱有源器件。按分類標準,電子器件可分為12個大類,可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。

電阻

導體對電流的阻礙作用就叫該導體的電阻。

電阻小的物質稱為電導體,簡稱導體。

電阻大的物質稱為電絕緣體,簡稱絕緣體。

在物理學中,用電阻（resistance）來表示導體對電流阻礙作用的大小。導體的電阻越大,表示導體對電流的阻礙作用越大。不同的導體,電阻一般不同,電阻是導體本身的一種性質。

導體的電阻通常用字母R表示,電阻的單位是歐姆（ohm）,簡稱歐,符號是Ω。比較大的單位有千歐（kΩ）、兆歐（MΩ）（兆=百萬,即100萬）。

電容

電容（或稱電容量）是表征電容器容納電荷本領的物理量。

我們把電容器的兩極板間的電勢差增加1伏所需的電量,叫做電容器的電容。

電容器從物理學上講,它是一種靜態電荷存儲介質（就像一只水桶一樣,你可以把電荷充存進去,在沒有放電回路的情況下,刨除介質漏電自放電效應/電解電容比較明顯,可能電荷會永久存在,這是它的特征）,它的用途較廣,它是電子、電力領域中不可缺少的電子元件。主要用于電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、隔直流等電路中,電容的符號是C。

C=εS/4πkd=Q/U

在國際單位制里,電容的單位是法拉,簡稱“法”,符號是F,常用的電容單位有毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）（皮法又稱微微法）等,換算關系是：

1法拉（F）=1000毫法（mF）=1000000微法（μF）

1微法（μF）=1000納法（nF）=1000000皮法（pF）

電感

電感（Inductor）是能夠把電能轉化為磁能而存儲起來的元件。

電感器的結構類似于變壓器,但只有一個繞組。

電感器具有一定的電感,它只阻止電流的變化。如果電感器在沒有電流通過的狀態下,電路接通時它將試圖阻止電流流過它。如果電感器在有電流通過的狀態下,電路斷開時它將試圖維持電流不變。電感器又稱扼流器、電抗器、動態電抗器。

電位器

電位器是具有三個引出端、阻值可按某種變化規律調節的電阻元件。

電位器通常由電阻體和可移動的電刷組成。當電刷沿電阻體移動時,在輸出端即獲得與位移量成一定關系的電阻值或電壓。

電位器既可作三端元件使用也可作二端元件使用。后者可視作一可變電阻器。

電位器是一種可調的電子元件。它是由一個電阻體和一個轉動或滑動系統組成。當電阻體的兩個固定觸點之間外加一個電壓時,通過轉動或滑動系統改變觸點在電阻體上的位置,在動觸點與固定觸點之間便可得到一個與動觸點位置成一定關系的電壓。它大多是用作分壓器,這時電位器是一個四端元件。電位器基本上就是滑動變阻器,有幾種樣式,一般用在音箱音量開關和激光頭功率大小調節。

變壓器

變壓器（Transformer）是利用電磁感應的原理來改變交流電壓的裝置,主要構件是初級線圈、次級線圈和鐵芯（磁芯）。

主要功能有：電壓變換、電流變換、阻抗變換、隔離、穩壓（磁飽和變壓器）等。

變壓器常用作升降電壓、匹配阻抗、安全隔離等。

二極管

二極管（Diode）是一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過的電子元件。許多的使用是應用其整流的功能。

而變容二極管（VaricapDiode）則用來當作電子式的可調電容器。

大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管最普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓）,反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。

因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現出如此完美的開與關的方向性,而是較為復雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術決定的。二極管使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。

三極管

三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管。是一種電流控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號,也用作無觸點開關。

晶體三極管,是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。

三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。

mos管

mos管是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導體（semiconductor）場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。

MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。

在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

MOS管最顯著的特性是開關特性好,所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中,常見的如開關電源和馬達驅動,也有照明調光。

集成電路

集成電路（integratedcircuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然后封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。

集成電路具有體積小、重量輕、引出線和焊接點少、壽命長、可靠性、性能好等優點,同時成本低,便于大規模生產。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用,同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。

用集成電路來裝配電子設備,其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍,設備的穩定工作時間也可大大提高。