三星、美光存儲芯片漲價15%-20%

　　預計二季度起將全面反映DRAM漲勢。

　　據臺灣電子時報報道,存儲器模塊業者傳出,三星電子、美光等存儲器大廠,正規劃今年第一季將DRAM價格調漲15%-20%,從1月起執行,借此催促客戶提前規劃未來使用需求量。已有廠商透露收到三星的漲價預告。

　　業界人士稱,上游原廠漲價焦點將從NAND轉移至DRAM,DDR4、DDR5有望成下一波調漲重點,以加速改善營運虧損。至于DDR3,其產能及需求相對穩定,預計漲幅相對平緩。

　　業界預期,隨著上游原廠醞釀提價DRAM,多家存儲器模塊業者各自收到風聲啟動備貨,預計供貨給OEM廠的合約價可望延后一個季度跟進,即二季度起將全面反映DRAM漲勢。

　　存儲芯片市場以DRAM和NAND Flash為主,此前NAND Flash的價格從2023年下半年一路上漲,而DRAM報價漲幅較少,2023年12月DRAM報價僅微幅調漲2%-3%,明顯低于3D TLC NAND約10%的漲幅。

　　對于上游原廠計劃在一季度啟動DRAM補漲行情,存儲器模塊業者表示并不意外,目前市場需求尚未恢復穩定,DRAM報價調漲仍然由上游原廠主導,行業已有預期,近月來已陸續回補低價庫存。

　　至于未來DRAM漲幅能否如同NAND Wafer強勁攀升,仍需觀察后續市場需求。報道稱,終端市場仍存在觀望氣氛,前兩個季度的市場表現非常關鍵,若主要應用出�？谛枨箜樌�銜接,存儲器前景才會比較確定。

　　供給方面,業界指出,無論是DRAM或是NAND,2023年Q4上游供貨狀況并不緊缺,“前提是要能夠接受原廠提出的價格,只要價格對了,原廠都有貨可以賣�！�

　　這一背景下,削減產能仍然是原廠重要的保價策略。2023年下半年,韓系DRAM大廠一直在降低DRAM稼動率,同時逐步增加高端制程的產出,以三星為例,2023年Q4 DRAM產出僅占2023年Q1的七成左右。

　　據了解,2024年Q1 DRAM整體產能供應仍然偏向節制謹慎,未來供應商將會持續減產成熟制程,并轉向先進制程技術。

　　整體而言,從行業周期角度看,海外大廠稼動控制下存儲供需逐漸改善,主流存儲價格自2023Q3起持續回暖,并在Q4帶動利基存儲價格觸底回升,去年8月末起,晶圓端漲價已開始傳導至模組端。

　　展望后續,中信證券預計12月部分緊缺且對應下游需求復蘇較早的產品漲價將持續(如移動存儲),庫存持續去化的下游環節如傳統服務器內存的價格漲勢或將相對放緩。隨著各原廠持續減產DDR4、行業庫存去化、下游服務器市場復蘇,預計2024年主流DRAM價格有望持續回升。